حزمة/حالة
وتغليف وتغليف وتغليف
نوع
ترانزستور ذو تأثير ميداني عالي الطاقة موس الترانزستور
درجة حرارة التشغيل
-55 في + 175 ℃
Supplier Type
الشركة المصنعة الأصلية, ODM, وكالة, بائع التجزئة, أخرى
وسائل الإعلام المتاحة
ورقة البيانات, صورة, EDA/CAD نماذج, أخرى
درجة حرارة التشغيل
-55℃TO+175℃
المقاوم-باعث قاعدة (R2)
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
-
الحالي المستمر استنزاف (Id) @ 25 °C
-
Rds على (ماكس) @ معرف ، Vgs
-
Vgs (الرابعة) (ماكس) @ Id
-
بوابة تهمة (Qg) (ماكس) @ Vgs
-
السعة المدخلات (كيبك) (ماكس) @ Vds
-
محرك الجهد (ماكس Rds على ، دقيقة Rds على)
-
Vce (على) (ماكس) @ Vge ، Ic
-
السعة المدخلات (Cies) @ Vce
-
الجهد-انهيار (V (BR) الشاباك)
-
الحالي استنزاف (فاعلية النظام) @ Vds (Vgs = 0)
-
الحالي استنزاف (Id)-ماكس
-
الجهد-قطع (VGS إيقاف) @ Id
-
الحالي-بوابة إلى الأنود تسرب (Igao)
-
الترانزستور نوع
ترانزستور ذو تأثير ميداني عالي الطاقة موس الترانزستور
